磁気抵抗メモリの性能改善

磁気抵抗メモリ（MRAM）の新しい設計コンセプトが提唱された。これは、MRAMの利用と広範な商業化を妨げているボトルネックの克服に役立つ可能性がある。 MRAMは、「不揮発性」、つまり情報を電気的ではなく磁気的に符号化するメモリ技術であり、電源が切れても、記憶された情報が保持されるため、有望視されている。ところが、これまでに提案されたデバイスには、記憶密度が低く、消費電力が大きいという問題があった。今回、L-Q Chenたちは、こうした欠点を克服し、室温で高速に動作するMRAMデバイスの設計を明らかにした。

doi: 10.1038/ncomms1564

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