【材料科学】室温近くでスキルミオンを動かす

室温に近い温度において、非常に低い電流密度で磁性構造体を動かせることが明らかになった。この結果は、新しい全電気的な情報記憶デバイスの設計に利用できるかもしれない。こうした研究結果を報告する論文が、今週、Nature Communicationsに掲載される。

X Yuたちは、鉄ゲルマニウムにおいて、室温よりわずか25ケルビン低いだけの温度で、渦状スピン構造を有する磁性ナノ構造体であるスキルミオンを動かしたことを報告している。このスキルミオンの運動は、100 A/cm2未満の電流密度で実現した。これは、金属の磁壁の電流密度の10万分の1にすぎない。今回の研究で得られた知見は、電流に誘起されて生じるスピンテクスチャーの運動を情報記憶デバイスでの応用に近づける可能性を秘めている。

doi: 10.1038/ncomms1990

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