史上最小のトランジスター

シリコン表面にリン原子1個を極めて正確に配置することによって単一原子トランジスターが作製されたことが、今週のNature Nanotechnology電子版に報告されている。これは、史上最小のトランジスターである。 このリン原子は、ソース電極とドレイン電極の間（間隔は20ナノメートル足らず）に位置すると同時に、2つのゲート電極の間（間隔は100ナノメートル余り）に位置している。Michelle Simmonsらは、ソース-ドレイン電極間とゲート電極間に別々に電圧を印加してリン原子を通る電流を測定し、電流が電界効果トランジスターに典型的な電圧依存性を示すことを見いだした。 研究チームは、この史上最小のトランジスターを作るために、6個1組のシリコン原子のうち1個とリン原子1個を取り換える技術を開発した。これは、0.5ナノメートルを上回る正確さに相当する。本研究で数々の進歩が見られたにもかかわらず、単一原子トランジスターを日常的なデバイスとして使えるようにするには、まだ多くの課題を克服する必要がある。

doi: 10.1038/nnano.2012.21

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