これまでより低い温度でのグラフェン合成

グラフェンの低温合成法が開発された。グラフェンを用いたナノ電子デバイスの作製に新たな可能性が生まれるかもしれない。この研究成果を報告する論文が、今週、Nature Communicationsに掲載される。グラフェンには、独特な物理的特性があり、エレクトロニクス分野での応用可能性を秘めた非常に有望な材料と考えられている。ところが、グラフェンの広範な利用を阻む難題がある。大面積のグラフェン膜を低コストで作製する方法がないのだ。今回、S-Y Kwonたちは、基板上に炭素を析出させるのではなく、基板の下層に炭素を拡散させることによる新しい作製法を発表した。この方法は、室温付近で使える点が重要で、これは、現行の大面積グラフェン膜の作製法で必要とされる温度よりも相当に低い。 Kwonたちの方法は、金属表面からデバイス用途に適した基板へグラフェンを転写する方法ではないため、将来のグラフェンを用いた電子デバイスを製造する方法にとって重要な意味を持っている可能性がある。

doi: 10.1038/ncomms1650

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