注目の論文
磁気抵抗メモリの性能改善
Nature Communications
2011年11月24日
Memory Upgrade
磁気抵抗メモリ(MRAM)の新しい設計コンセプトが提唱された。これは、MRAMの利用と広範な商業化を妨げているボトルネックの克服に役立つ可能性がある。 MRAMは、「不揮発性」、つまり情報を電気的ではなく磁気的に符号化するメモリ技術であり、電源が切れても、記憶された情報が保持されるため、有望視されている。ところが、これまでに提案されたデバイスには、記憶密度が低く、消費電力が大きいという問題があった。今回、L-Q Chenたちは、こうした欠点を克服し、室温で高速に動作するMRAMデバイスの設計を明らかにした。
doi: 10.1038/ncomms1564
注目の論文
-
5月8日
生態学:マッコウクジラの複雑な鳴音を調べるNature Communications
-
5月7日
遺伝学:APOE4遺伝子バリアントはアルツハイマー病の他とは異なる遺伝的タイプである可能性があるNature Medicine
-
5月3日
動物学:薬用植物を使って創傷治療を行う野生動物が初めて報告されるScientific Reports
-
5月3日
進化学:地球の磁場が弱くなっていたために地球上の生物の多様化が進んだのもしれないCommunications Earth & Environment
-
5月2日
人類学:長期的レジリエンスは苦難によって構築されるNature
-
5月2日
微生物学:マウスにおけるマイクロバイオームと仔の健康との関連Nature