Nature ハイライト

スピントロニクス:電気的に読み書きできる反強磁性体

Nature 658, 8138

今回、高速メモリーデバイス技術として期待されている反強磁性トンネル接合を、外部磁場なしに電気的に読み書きする方法が報告されている。P Khalili Amiriたちは、八極子駆動スピントルク機構を活用し、ナノスケールのPtMn3デバイスをスイッチングさせ、室温で最高363%の磁気抵抗を実現した。

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