Nature ハイライト

マイクロ波エレクトロニクス:hBNメモリスティブスイッチをGaN上に集積

Nature 655, 8124

今回、多層六方晶窒化ホウ素(hBN)メモリスティブ高周波スイッチを、窒化ガリウム(GaN)系マイクロ波集積回路上に集積したことが報告されている。この回路は最高100 GHzの周波数で動作可能であり、5Gや6G技術向けに適したデバイス特性を備えている。

2026年7月23日号の Nature ハイライト

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