材料科学：ウエハースケールの半導体薄膜

単層の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）半導体は、厚さが原子わずか3個分であり、次世代ナノエレクトロニクスやオプトエレクトロニクス向けの材料として有望とされている。今回J Parkたちは、化学気相成長法によって二酸化シリコン絶縁体ウエハー上で単層TMDを作製する新しい方法を報告している。この方法によって、特性が揃っていてウエハー規模の面積の大きな単層TMDが得られた。こうして作られた単層TMDは室温で高い電子移動度を示し、その値はウエハーの直径4インチの領域全体にわたってほぼ一定であった。また、この単層TMDを用いた電界効果トランジスターを、99％のデバイス歩留まりで作製できた。今回の研究によって、単層TMDを用いた高性能デバイスをウエハースケールでバッチ製造できる可能性が実証された。

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