注目の論文
【グラフェン】接触にグラフェンを用いた高性能トランジスター
Nature Communications
2012年7月18日
Graphene: High-performance transistor with graphene contacts
グラフェンを用いた高性能トランジスターが開発され、ウエハースケールのグラフェンエレクトロニクスの実現に一歩近づいたことを報告する論文が、今週、Nature Communicationsに掲載される。このデバイスは簡単に作製でき、高周波/高出力エレクトロニクスにおけるグラフェンの利用に新たな道を開くものかもしれない。
グラフェンについては、その顕著な電子特性の利用をめざす研究が続けられているが、現在のエレクトロニクスの基盤である半導体に利用する研究は困難を極めていた。今回、H Weberたちは、主流の考え方に反旗を翻し、グラフェンを半導体ではなく、金属接触に用いたトランジスターを開発し、グラフェンと半導体特性の優れた炭化ケイ素(SiC)層からなる集積トランジスターについての単純な作製工程を明らかにした。このトランジスターは、グラフェン/SiC界面の巧妙なエンジニアリングの賜物であり、メガヘルツ域まで高い性能を発揮する。
doi: 10.1038/ncomms1955
注目の論文
-
6月5日
気候:海と大気の相互作用が2023年の北大西洋熱波をもたらしたNature
-
6月5日
気候変動:干ばつの深刻化を招く要因の評価Nature
-
6月3日
生体医工学:AIペンが筆跡からパーキンソン病を検出Nature Chemical Engineering
-
6月3日
天文学:天の川銀河はアンドロメダ銀河との衝突を回避できるかもしれないNature Astronomy
-
5月22日
環境:AI モデルが既存の地球システム予測を上回るNature
-
5月22日
天文学:初期の天の川に似た銀河における予想外の性質Nature