Nature Electronics

Nature Electronics は、2018年1月に創刊されたオンライン限定ジャーナルです。

Nature Electronics は、科学者、技術者、産業界の研究者による、エレクトロニクスのあらゆる領域の基礎研究と応用研究の成果を掲載します。本誌の主眼は、新しい技術の開発と、こうした技術的進歩が社会に及ぼす影響を理解することにあります。

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最新Research

単層二硫化モリブデン電界効果トランジスターに基づくラージスケール透明フレキシブル電子デバイス

Large-scale flexible and transparent electronics based on monolayer molybdenum disulfide field-effect transistors

掲載

ウエハースケールの単層MoS2を用いて、オン/オフ比が1010、電流密度が約35 μA μm−1、移動度が約55 cm2 V−1 s−1を示すフレキシブルなトランジスターおよび回路を作製できる。

グラフェン上の一次元分子アレイにおける調整可能な電荷パターンを用いて作製した分子シフトレジスター

A molecular shift register made using tunable charge patterns in one-dimensional molecular arrays on graphene

掲載

グラフェン電界効果トランジスター上の一次元分子アレイは、バックゲート電極によるグラフェンフェルミ準位の調整や、個々の分子の操作によって、異なる周期的電荷状態間で可逆的にスイッチング可能であるため、ナノスケールのシフトレジスターとして機能する。

その他の「最新Research」

おすすめのコンテンツ

反強磁性的な磁化結合をもつフェリ磁性体における非断熱スピン移行トルクは交替磁場のように作用し、効率的な磁壁運動を生じさせる。

Spin-transfer torques for domain wall motion in antiferromagnetically coupled ferrimagnets

Nature Electronics

掲載

Nature Electronics 2, 9 | doi: 10.1038/s41928-019-0303-5 (2012)

心電図を記録するウルトラフレキシブル有機差動増幅器

An ultraflexible organic differential amplifier for recording electrocardiograms

Nature Electronics

掲載

Nature Electronics 2, 8 | doi: 10.1038/s41928-019-0283-5 (2012)

その他の「おすすめのコンテンツ」

コレクション

2019 IEEE 国際電子デバイス会議(IEDM)のハイライト

2019年12月

2019年12月にサンフランシスコで開催されたIEEE国際電子デバイス会議(IEDM)は、半導体および電子デバイス技術分野の発展を報告する非常に重要なフォーラムである。今月号のNature Electronics では、2019年の会議で報告されたブレイクスルーのいくつかに注目する。

デジタル倫理

2019年8月

人工知能から摂取型センサーまで 、デジタル技術の進展は、様々な倫理的難題を生み出しており、これらは、開発に関わる科学者や技術者を含めあらゆる関係者が考慮しなければならないものである。 今月号のCollectionでは、デジタル技術の進展により課される倫理的難題をいくつか調査する。

その他の「コレクション」

著者インタビュー

スピンを活用し、ひずみ方向検知に初成功 ― 柔らかいセンサー開発に道

太田 進也氏、千葉 大地氏、安藤 陽氏

磁性体(磁石)が変形すると磁化方向が変わる性質を利用して、変形の方向を検出できる柔らかいひずみセンサーの動作実証に、東京大学大学院工学系研究科准教授の千葉大地さん、同研究科博士課程2年の太田進也さん、株式会社村田製作所シニアプリンシパルリサーチャーの安藤陽さんの3人が世界で初めて成功し、新創刊のNature Electronics2月号に発表した。電子の磁気的性質であるスピンを活用する「スピントロニクス」と、折り曲げることができる電子部品を創造する「フレキシブルエレクトロニクス」を融合した新しいデバイス開発に道を開くものだ。3人に研究の背景、今後の方向性などについて聞いた。

異常ホール効果を利用した、不揮発性メモリーの新しい記録技術開発

飯浜 賢志氏、谷口 知大氏、久保田 均氏

電流を流す配線部に安価でありふれた鉄系の磁石を使うことで、記録書き込みエラーが極端に低くなる新しい「面内電流型磁気メモリー」を作製することに、国立研究開発法人産業技術総合研究所(以下、産総研)スピントロニクス研究センターの久保田均総括研究主幹らの研究チームが成功した。配線部を磁石にすることで発生する異常ホール効果で、記憶層の磁化の変化の確実性が高まり、記録の信頼性が高まることは、理論的には予言されていた。が、それを実証したのは、今回が世界初。省電力で、安価な不揮発性の磁気メモリー(MRAM)の実用化につながる成果で、2018年1月に創刊されたNature Electronics 2月号に掲載された。異常ホール効果を利用して磁化を確実に制御できることを提唱した谷口知大主任研究員、それを実証した論文第一著者の飯浜賢志さん(日本学術振興会特別研究員)に研究開発の狙い、経緯、今後の展望について聞いた。

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