物性物理学：グラフェンにおける磁性の電気的スイッチング

材料の磁性の電場による制御は、メモリーデバイスにとって望ましく、スピントロニクスやマルチフェロイクスの分野で長く追求されてきた。最近では、グラフェンを角度をつけて積層することで形成されたモアレ格子において、軌道チャーン絶縁体という新しいタイプの磁性が観測されている。今回A Youngたちは、そうした軌道チャーン絶縁体において、磁気秩序の電場による不揮発性スイッチングを報告している。この効果は、異常量子ホール領域におけるトポロジカルエッジ状態によって駆動される。今回のスイッチングは極低温に限定されているが、この結果は、計測や小型マイクロ波回路素子向けの新しいクラスのデバイスにつながる可能性がある。

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