Letter 工学：分子軌道ゲーティングの観察 2009年12月24日 Nature 462, 7276 doi: 10.1038/nature08639 能動電子デバイスにおける電荷輸送制御は、外部ノードによる内部電荷密度の変調に密接に依存する。例えば、電界効果トランジスターは、電極に対する伝導帯と価電子帯の相対位置を変えることによって生じる、チャネル電荷の静電的なゲート変調を利用している。分子スケールデバイスでは、このように（つまり軌道エネルギーを変えることによって）動作する真の3端子デバイスの作製が長年の課題であった。今回我々は、輸送電流が外部ゲート電圧によって直接変調される、そのような固体分子デバイスの観察結果について報告する。最も近い分子軌道との共鳴増強結合が、電子トンネル分光法によって明らかになり、電子デバイスでの直接的な分子軌道ゲーティングが実証された。今回の研究結果は、真の分子トランジスターが作製可能であることを実証しており、したがって、分子レベルで設計される電子デバイスの可能性を高めるものである。 Full Text PDF 目次へ戻る
