Article 工学：プリンテッドトランジスター用の高移動度電子輸送高分子 2009年2月5日 Nature 457, 7230 doi: 10.1038/nature07727 プリンテッドエレクトロニクスは、従来とは異なり、プラスチック箔上に電子デバイスを製造することを目指した革新的な技術であり、有機薄膜トランジスター（OTFT）作製には、高分子半導体を使わなくてはならないだろう。このような材料は、周囲条件で良好な電荷輸送特性をもつことに加え、化学的安定性、一般的溶媒への大きな溶解度、溶液が高価でないことや低温での加工性などの重要な要件を満たす必要がある。さらに、pチャネルとnチャネルのOTFTが協調して動作する強力な相補回路技術が使えるようにするためには、正孔を輸送するpチャネルと、電子を輸送するnチャネル半導体の両方が、ゲート誘電体とコンタクト材料の単一の組合せで互換性をもつことが要求される。周囲条件で動作する高分子相補回路は、現状では実現するのが難しい。また優れたpチャネル高分子は広く利用できるが、高性能のnチャネル高分子の実現はさらに困難である。本論文では、Auコンタクトとさまざまな高分子誘電体とを組み合せて、周囲条件で、前例のないOTFT特性（電子移動度は最高約0.45〜0.85 cm2V-1s-1に達する）を示し、溶解度が高く（約60 gl-1）、印刷可能なnチャネル高分子について報告する。プラスチック基板上に、スピンコーティングやグラビア、フレキソおよびインクジェット印刷により堆積した半導体‐誘電体層により、トップゲートOTFTをいくつか作製して、その加工性の多様なことを実証した。また、オールプリンテッド高分子相補インバーター（利得は25〜65）を実証した。 Full Text PDF 目次へ戻る
