Letter 工学：電子デバイスのひずみ測定用のナノスケール・ホログラフィー干渉法 2008年6月19日 Nature 453, 7198 doi: 10.1038/nature07049 ひずみシリコンは、キャリア移動度の増加を伴うため、今では最新世代のトランジスターや電子デバイスに不可欠な特徴となっている。また、ナノワイヤを利用した将来のデバイスやオプトエレクトロニクス部品においても、ひずみは重要な役割を果たすと期待されている。ひずみは、さまざまな手法によってデバイス中に人工的に導入されており、二次元や三次元の複雑なひずみ分布が生じる。したがって、ナノスケールでひずみを測定する方法の開発は、近年の重要目標となっているが、実現は難しいことがわかっている。既存の技術で、必要な空間分解能、精度、視野を併せもつものは存在しない。例えば、ラマン分光法やX線回折法では、ひずみをマッピングできるのはマイクロメートルスケールにおいてである。一方、透過電子顕微鏡法では、ナノメートルスケールでひずみを測定できるが、狭い試料面積しか測定できない。今回我々は、こうしたギャップを埋めて高い精度でひずみを測定できる、ナノメートルの空間分解能とマイクロメートルの視野をもつ方法について報告する。我々の方法は、モアレ技術の長所とオフアクシス電子線ホログラフィーの柔軟性を組み合わせたものであり、比較的厚い試料にも適用可能なため、薄膜の緩和効果の影響を減らすことができる。 Full Text PDF 目次へ戻る
