Letter 技術：マイクロメートルスケールのシリコン電気光学変調器 2005年5月19日 Nature 435, 7040 doi: 10.1038/nature03569 トランジスタサイズの微細化が続けば、金属配線が電子システムの性能を制限する因子になると予測される。ラック-ラック間からチップ-チップ間、そしてチップ内といったさまざまなレベルの配線を光配線に替えれば、低い電力消費、短い待ち時間、そして広帯域幅が得られるであろう。光配線の実現は、チップ上で微細電子回路への集積が可能な微細光学素子の開発にかかっている。最近、シリコンの低損失導波路、発光素子、増幅器、そしてレーザーが実証されたことでこの目標に近づいてはいるが、チップスケールの集積を行うのに十分小さい小型シリコン電気光学変調器はまだ実現していない。本研究では，コンパクトなシリコン構造の高速光変調器を実験により実証した。この変調器は、共鳴光閉込め構造を使って、シリコンの屈折率の小さい変化に対する光感度を増強し、また、高速動作も可能にしている。この変調器は直径が12μmで、過去に実現されたものより3桁小さい。電気光学変調器は光電子集積で最も重要な部品の１つであり、これを小型化できれば新しいチップアーキテクチャーが可能になるであろう。 Full Text PDF 目次へ戻る
