Nature ハイライト

半導体:硫化ビスマスで電子–正孔再結合が遅延

Nature 659, 8139

今回、硫化ビスマスにおける擬直接バンドギャップの特性が示され、この特性が材料内の電子–正孔の2分子再結合を遅延させることが報告されている。

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