材料化学：ハロゲン化物ペロブスカイトのエピタキシャルヘテロ構造の作製

現代のエレクトロニクス技術やオプトエレクトロニクス技術は、さまざまな半導体からエピタキシャルヘテロ構造を形成する能力に支えられている。ハロゲン化物ペロブスカイトは、望ましい特性を持ち、太陽電池、発光ダイオード、レーザーなどの応用向けに魅力的な候補だが、化学的安定性が低く相互拡散の傾向があるため、将来のデバイス開発に不可欠と思われる原子レベルで急峻なハロゲン化物ペロブスカイト接合の開発が阻まれている。今回L Douたちは、有機配位子の導入によって、二次元ハロゲン化物ペロブスカイトの安定化が促されると同時に拡散が抑制されるため、ほぼ原子レベルで急峻な界面を持つ調整可能な横方向エピタキシャルヘテロ構造、マルチヘテロ構造、超格子の形成が可能になることを示している。今回の方法によって、より複雑なハロゲン化物ペロブスカイト超格子、デバイス、集積回路を開発するプラットフォームが得られる可能性がある。

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