Letter 材料：固体炭素源からのグラフェン成長 2010年11月25日 Nature 468, 7323 doi: 10.1038/nature09579 単層グラフェンは、転写可能な材料として2004年に初めて得られ、これに刺激されて物理学や化学、材料科学の分野で集中的な研究が活発に行われている。多くの研究が、単層や2層のグラフェンの大面積のシートを得る手段の開発に焦点をしぼってきている。この目標は、最近、銅やニッケル基板へのCH4やC2H2ガスの化学気相堆積（CVD）によって実現された。しかし、CVD法はガス状の原料しか使えず、より幅広い原料候補への適用が困難である。今回我々は、800 °Cという低温で金属触媒基板に堆積させた高分子膜や小分子などのさまざまな固体炭素源から、厚さを調節して大面積高品質グラフェンを成長させうることを実証する。このワンステップ法により、同じ実験装置を用いて、純粋なグラフェンとドープグラフェンの両方を成長させた。 Full Text PDF 目次へ戻る
