Letter 免疫：記憶CD4 T細胞はエフェクターT細胞の前駆細胞から生じる 2008年3月20日 Nature 452, 7185 doi: 10.1038/nature06672 適応免疫の大きな特徴は、病原体が繰り返す攻撃に対して、長期間にわたって抗原特異的に防御する記憶T細胞の産生である。記憶T細胞が生じる機序の解明は、合理的な予防接種戦略と慢性感染症や自己免疫疾患に対する治療介入の向上のために重要である。一部の感染症に応答してCD8 T細胞が大規模なクローン増殖をすることで、記憶CD8 T細胞に関する研究は行いやすく、十分な能力をもつエフェクターT細胞の一部が長寿命の記憶T細胞に移行するという、記憶細胞の分化に関するモデルが考えられている。病原体投与の間に生じたCD4エフェクターT細胞の小集団の追跡には限界があることが判明した結果、記憶CD4 T細胞の発生をたどることはずっと難しいとわかり、CD4記憶T細胞がエフェクターT細胞に直接由来してするのか、それとも別の経路によって発生するのかを決定する作業は、さらにやっかいなものになっている。本論文では、互いに補完的な2種のサイトカインレポーターマウスモデルを用いて、インターフェロン（IFN）γ陽性のエフェクターT細胞を同定し、その運命を追跡して、エフェクターCD4 T細胞と記憶CD4 T細胞の系統関係が、同じ病原体に応答するCD8 T細胞のものと類似していることを示す。IFNγ陽性のエフェクターCD4 T細胞は、エフェクターCD8 T細胞と並行して、抗原の再投与に対する既往免疫応答を行える長寿命の記憶T細胞を産生することがわかった。 Full Text PDF 目次へ戻る
