Letter 新しい電気光学材料としての歪シリコン 2006年5月11日 Nature 441, 7090 doi: 10.1038/nature04706 数十年にわたって、シリコンはエレクトロニクスの大量生産に最も適した材料とされてきた。しかしこれとは対照的に、フォトニクスにおいては最近になってようやく、シリコンの受動的光学部品が実現できるようになった。シリコンでは能動的光学特性が限られているため、電子的な機能と光学的な機能を汎用のシリコンプラットフォーム上にモノリシックに集積するシリコンオプトエレクトロニクスはなかなか進展していない。しかし最近、連続波ラマンシリコンレーザーが実証された。もし効率よい変調器もシリコンで実現できれば、データの処理と伝送をすべてシリコン製電子部品と光学部品で行うことが可能性になる。本研究では、結晶対称性を破ると、シリコンに大きな線形電気光学効果が生じることを発見した。この対称性は、シリコン導波路の上に歪みを発生する層を堆積することによって破られる。誘起された非線形係数、χ(2) ≈ 15 pmV-1はシリコン電気光学変調器の実現が十分可能な値である。歪みに誘起された線形電気光学効果を使えば、電子バスをもっと高速な光バスに代えることによって、現行のコンピューターのボトルネックを解決できるかもしれない。 Full Text PDF 目次へ戻る
