Letter 材料：超高品質炭化ケイ素単結晶 2004年8月26日 Nature 430, 7003 doi: 10.1038/nature02810 炭化ケイ素（SiC）は優れた物理的、機械的、電子的特性をもつため、次世代電子デバイスの有望な材料となっている。従来SiC{0001}単結晶を成長させるときに熱的条件を注意深く考慮し、ホローコア転位（マイクロパイプ）、混在物、小傾角粒界、長距離の結晶格子反りなどの巨視的欠陥を減少させて、単結晶の品質改善と大口径化がなされてきた。しかし、少数の巨視的欠陥（1〜10 cm-2程度）と高密度（約104 cm-2）に存在する刃状転位、ベーサルプレーン転位（basal plane：c 面内の転位）、らせん転位などの素転位が単結晶内に残っており、これまでSiCによる高効率・高信頼性電子デバイスの実現を阻んできた。今回我々は、c 軸に垂直に成長した（a 面成長の）SiC単結晶の転位構造にヒントを得た単結晶作製法を報告する。これによりSiC単結晶中の転位の数は2〜3桁減少し、実質的に転位のない結晶となる。この結晶を基板とすれば、高出力のSiCデバイスの開発が進み、これを用いた電気系のエネルギー損失が減ると期待される。 Full Text PDF 目次へ戻る
