Letter 材料：室温付近で動作するGaAsポラリトン発光ダイオード 2008年5月15日 Nature 453, 7193 doi: 10.1038/nature06979 ナノメートルスケールで光-物質相互作用を制御する能力が向上したため、ここ10年間で半導体レーザーの性能が改善されてきた。究極の最適化は半導体微小共振器で実現され、この中では量子井戸励起子と共振器光子との強い結合によって、半分は光で半分は物質という混合状態のポラリトン準粒子が生じる。ポラリトン独自の特性（誘導散乱、パラメトリック増幅、レーザー発振、凝縮、超流動など）は、新世代のポラリトン・エミッターや半導体レーザーの基礎となると考えられている。これまでのところ、ポラリトンレーザー発振とポラリトンの非線形性は、光学実験でしか実証されていないが、それらの実験では、従来の半導体レーザーと比較して発振閾値が2桁低下する可能性が示された。今回我々は、温度235 Kでポラリトン状態から直接発光する電気励起半導体ポラリトン発光デバイスを実験的に実現したことを報告する。ポラリトン・エレクトロルミネッセンスのデータから、強い結合状態のはっきりした特徴である、励起子モードと共振器モードの間の特徴的な反交差が明らかになった。これらの結果は、今までにない特性をもつ超高効率ポラリトニック・デバイスの実現へ向けての重要な一歩である。 Full Text PDF 目次へ戻る
