Highlight 工学：分子メモリー 2007年1月25日 Nature 445, 7126 doi: 10.1038/445362a 集積回路の微細化は、現在の技術ではあと20年ほどでさらなるスケールダウンができなくなり、行きづまる可能性がある。しかし、それ以降の微細化は、DRAM（分子エレクトロニクスに由来する概念に基づくダイナミックランダムアクセスメモリー）、ナノワイヤーの使用、および欠陥耐性のあるアーキテクチャーによって可能となるかもしれない。これらを組み合わせたエラー耐性のある小型メモリー回路は既に実証されているが、このアプローチは、予想されている「2020年」のDRAM回路にほぼ近い160キロビット分子電子メモリーが開発されたことで、別の段階へと進んでいる。この回路には、まだ多数の動作しないメモリービットがあるが、それらは容易に検出され切り離される。また、動作するビットを完全な機能をもつランダムアクセスメモリーとして構成することができる。News Featureでは、P Ballが、超高密度分子メモリーの活用に必要なコンピューター・アーキテクチャーについて考察している。 Full Text PDF 目次へ戻る
