Letter 材料：スピンコーティングによって作製した高移動度の半導体超薄膜 2004年3月18日 Nature 428, 6980 doi: 10.1038/nature02389 信頼性の高い半導体薄膜（最近は特に超薄膜系が注目されている）を堆積し、調整できることが最新の固体エレクトロニクスには不可欠である。新しい技術（フレキシブルあるいはウェアラブルコンピューター、大面積の高解像度ディスプレイ、そして電子ペーパーなど）とより低い素子作製コストを目指して、高いキャリア移動度と扱いが簡単な溶液を使った堆積が同時に可能な薄膜半導体を探索することも重要な研究の方向である。本論文では、溶解度が高いヒドラジニウム前駆体の低温分解を用いて、極めて薄く(〜50Å)結晶性があり、連続な金属カルコゲナイド膜をスピンコートする技術を実証した。半導体SnS2-xSex膜を使って薄膜電界効果トランジスタ(TFT)を作製した。この膜は、ｎ型輸送、高い電流密度(＞10 5A cm-2)、そして10 cm2V-1s-1を越える移動度を示した。この移動度はスピンコート半導体で今まで報告された値より1桁高い。このスピンコーティング法は、一連の金属カルコゲナイド、特に典型金属を含む化合物、そして、さまざまな薄膜素子(例えば太陽電池、熱電素子、メモリー素子)を作製するのに応用できると期待される。 Full Text PDF 目次へ戻る
