磁気抵抗メモリの性能改善
Nature Communications
Memory Upgrade
磁気抵抗メモリ（MRAM）の新しい設計コンセプトが提唱された。これは、MRAMの利用と広範な商業化を妨げているボトルネックの克服に役立つ可能性がある。 MRAMは、「不揮発性」、つまり情報を電気的ではなく磁気的に符号化するメモリ技術であり、電源が切れても、記憶された情報が保持されるため、有望視されている。ところが、これまでに提案されたデバイスには、記憶密度が低く、消費電力が大きいという問題があった。今回、L-Q Chenたちは、こうした欠点を克服し、室温で高速に動作するMRAMデバイスの設計を明らかにした。
A new design concept for magnetoresistive random access memory (MRAM) is proposed in Nature Communications this week. This may help overcome the bottlenecks currently hampering its use and widespread commercialization. MRAM offers significant promise as a memory technology because it is “non-volatile”: that is it encodes information magnetically rather than electrically, therefore retaining stored information even when switched off. However, the devices proposed so far are blighted by low storage densities and high power consumption. Long-Qing Chen and colleagues present a design for an MRAM device that overcomes these shortcomings, as well as displaying high-speed operation at room temperature.
doi: 10.1038/ncomms1564
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