Research press release

【グラフェン】接触にグラフェンを用いた高性能トランジスター

Nature Communications

Graphene: High-performance transistor with graphene contacts

グラフェンを用いた高性能トランジスターが開発され、ウエハースケールのグラフェンエレクトロニクスの実現に一歩近づいたことを報告する論文が、今週、Nature Communicationsに掲載される。このデバイスは簡単に作製でき、高周波/高出力エレクトロニクスにおけるグラフェンの利用に新たな道を開くものかもしれない。

グラフェンについては、その顕著な電子特性の利用をめざす研究が続けられているが、現在のエレクトロニクスの基盤である半導体に利用する研究は困難を極めていた。今回、H Weberたちは、主流の考え方に反旗を翻し、グラフェンを半導体ではなく、金属接触に用いたトランジスターを開発し、グラフェンと半導体特性の優れた炭化ケイ素(SiC)層からなる集積トランジスターについての単純な作製工程を明らかにした。このトランジスターは、グラフェン/SiC界面の巧妙なエンジニアリングの賜物であり、メガヘルツ域まで高い性能を発揮する。

A high-performance transistor based on graphene that represents a step towards the realisation of wafer-scale graphene electronics is reported this week in Nature Communications. The easy-to-make device may open new avenues for the use of graphene in high-frequency and high-power electronics.

Researchers strive to make use of the remarkable electronic properties of graphene, but attempts to use it as a semiconductor, the foundation of modern electronics, have proved difficult. Heiko Weber and colleagues go against mainstream ideas, and develop a transistor where graphene is used as a metal contact instead of a semiconductor. They demonstrate a simple fabrication process for an integrated transistor consisting of graphene and a layer of silicon carbide (SiC), which has good semiconducting properties. The transistor relies on clever engineering of the graphene/SiC interfaces and has high performance up to the megahertz range.

doi: 10.1038/ncomms1955

「Nature 関連誌注目のハイライト」は、ネイチャー広報部門が報道関係者向けに作成したリリースを翻訳したものです。より正確かつ詳細な情報が必要な場合には、必ず原著論文をご覧ください。

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