ナノスケール材料：最大限のドーピング

従来の化学ドーピングによって高分子半導体に電荷を加えられる能力は、高分子とイオンドーパント種の間の酸化還元電位によって制限されている。今回、渡邉峻一郎と山下侑（東京大学ほか）たちは、系に第二のイオン種を導入することによってこの制限を克服できる方法を示している。この第二のイオンは、従来のドーパントイオンと効果的に入れ替わるが、酸化還元電位の制約を受けない。結果として、ドーピングレベルを劇的に高めることができ、さらに電気伝導性と安定性も向上する。

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