Nature ハイライト

電子工学:高速グラフェン系フラッシュメモリー

Nature 641, 8061

今回、二次元電界強化ホットキャリア注入機構を用いて、400 psでプログラム可能なグラフェン系フラッシュメモリーデバイスが報告されている。

2025年5月1日号の Nature ハイライト

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