Nature ハイライト

工学：より高性能のシリコン

Nature 441, 7092

半導体ナノワイヤーを使った電界効果トランジスター（FET）は将来、超小型電子回路で標準的なシリコン、MOSFETに取って代わるかもしれない。MOSFET、すなわち金属-酸化物半導体電界効果トランジスターは、高速スイッチングやコンピューターの集積回路に使われている、ありふれたトランジスターである。ゲルマニウムのシェルとシリコンのコアからできた特殊な構造のナノワイヤーは、ほぼ完全な電子伝導チャネルをもつため、ナノメートルスケールの電界効果トランジスターとして有望である。トランジスター配置では、このゲルマニウム/シリコンナノワイヤーは、コンダクタンスが高くスイッチング遅延時間が短いといった点で最新のMOSFETよりも優れた特性をみせることが今回明らかになった。

2006年5月25日号の Nature ハイライト

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