Volume 14 Number 9

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注目のハイライト

その他のハイライト

Letters

InGaN/GaN量子井戸メタ表面からの一方向発光

Unidirectional luminescence from InGaN/GaN quantum-well metasurfaces p.543

doi: 10.1038/s41566-020-0641-x

小ねじれ角2層グラフェンにおける強い中赤外光応答

Strong mid-infrared photoresponse in small-twist-angle bilayer graphene p.549

doi: 10.1038/s41566-020-0644-7

Articles

2 μm応用のための低雑音高温AlInAsSb/GaSbアバランシェフォトダイオード

Low-noise high-temperature AlInAsSb/GaSb avalanche photodiodes for 2-μm applications p.559

doi: 10.1038/s41566-020-0637-6

非線形構造の高調波光トモグラフィー

Harmonic optical tomography of nonlinear structures p.564

doi: 10.1038/s41566-020-0638-5

励起子–振動デカップリングによる近赤外OLEDにおけるエネルギーギャップ則の克服

Overcoming the energy gap law in near-infrared OLEDs by exciton–vibration decoupling p.570

doi: 10.1038/s41566-020-0653-6

シリコンフォトニック集積回路向けのひずみエンジニアリングによる高応答度MoTe2光検出器

Strain-engineered high-responsivity MoTe2 photodetector for silicon photonic integrated circuits p.578

doi: 10.1038/s41566-020-0647-4

シリコンバンドギャップ未満からの近赤外光の光化学的アップコンバージョン

Photochemical upconversion of near-infrared light from below the silicon bandgap p.585

doi: 10.1038/s41566-020-0664-3

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