都市圏量子テレポーテーションに向けての第一歩
Step towards city-wide quantum teleportation
doi: 10.1038/nphoton.2016.179
Volume 14 Number 9
注目のハイライト
マイクロレンズを3D印刷する
3D printing microlenses
doi: 10.1038/nphoton.2016.121
Letters
InGaN/GaN量子井戸メタ表面からの一方向発光
Unidirectional luminescence from InGaN/GaN quantum-well metasurfaces p.543
doi: 10.1038/s41566-020-0641-x
小ねじれ角2層グラフェンにおける強い中赤外光応答
Strong mid-infrared photoresponse in small-twist-angle bilayer graphene p.549
doi: 10.1038/s41566-020-0644-7
ねじれによる光電効果
Photoelectric effect with a twist p.554
doi: 10.1038/s41566-020-0669-y
Articles
2 μm応用のための低雑音高温AlInAsSb/GaSbアバランシェフォトダイオード
Low-noise high-temperature AlInAsSb/GaSb avalanche photodiodes for 2-μm applications p.559
doi: 10.1038/s41566-020-0637-6
非線形構造の高調波光トモグラフィー
Harmonic optical tomography of nonlinear structures p.564
doi: 10.1038/s41566-020-0638-5
励起子–振動デカップリングによる近赤外OLEDにおけるエネルギーギャップ則の克服
Overcoming the energy gap law in near-infrared OLEDs by exciton–vibration decoupling p.570
doi: 10.1038/s41566-020-0653-6
シリコンフォトニック集積回路向けのひずみエンジニアリングによる高応答度MoTe2光検出器
Strain-engineered high-responsivity MoTe2 photodetector for silicon photonic integrated circuits p.578
doi: 10.1038/s41566-020-0647-4
シリコンバンドギャップ未満からの近赤外光の光化学的アップコンバージョン
Photochemical upconversion of near-infrared light from below the silicon bandgap p.585
doi: 10.1038/s41566-020-0664-3
