Article 免疫：エディティングやクラススイッチが起こる末梢B細胞で転座が促進される機構 2009年7月9日 Nature 460, 7252 doi: 10.1038/nature08159 発生中の骨髄B細胞では、V（variable）、D（diversity）およびJ（joining）領域の遺伝子断片（V(D)J）の組み換えによって免疫グロブリン重鎖（IgH）あるいは軽鎖（IgL）の可変領域エキソンが組み立てられるが、一方、末梢B細胞では、クラススイッチ組み換え（CSR）によってIgHの定常領域エキソンの交換が起こる。この両方の過程で、指定された領域に対するDNA二本鎖切断（DSB）が使われ、非相同末端結合（NHEJ）で修復される。V(D)J組み換え、あるいはCSRのどちらかに誤りがあると、末梢B細胞リンパ腫にみられるIgH遺伝子座（Igh）のc-myc（別名Myc）への発がん性転座などの染色体転座が起こることがある。また、これらの過程が共同することにより転座が開始されるのではないかという説も出されている。しかし、末梢B細胞でV(D)J組み換えが起こるかどうかについては意見が分かれている。本論文では、NHEJを欠損させた脾臓の活性化B細胞では、ラムダIgL遺伝子座（Igl）のV(D)J組み換えに関連する切断だけでなく、CSRに関連したIgh切断も蓄積し、しばしば同一細胞上でこれが観察されることを示す。さらに、IglおよびIgh切断部位は連結して転座を形成することが多く、この現象は特定のIgh-Iglの共局在に関連している。また、これらの細胞ではIghとc-mycも共局在している。それに応じて、c-mycに高頻度でDSBが起こると、ロバストにIgh-c-myc転座が促進される。我々の研究は、末梢B細胞で二次的なV(D)J組み換えが起こりやすくなっていることを示し、腫瘍での転座頻発を促進する機構に関与する因子の役割を確定している。 Full Text PDF 目次へ戻る
