Letter 物理：高濃度n型シリコンのバルクで、個々のドーパント原子とクラスターを原子スケールで画像化 2002年4月25日 Nature 416, 6883 doi: 10.1038/416826a 集積回路中のシリコントランジスタを小さくしていくにつれて、不純物のドーパント原子の導入によって生成される電荷キャリアの濃度は増加させなくてはならない。しかし現在の技術では、ドーパント原子を追加的に導入しても電荷キャリアを増やせなくなる限界に急速に近づきつつある。それは、ドーパント原子が電気的に不活性なクラスターを形成するからである。我々は、結晶性シリコン中の個々のアンチモン(Sb)ドーパント原子を、原子分解能で直接観測し、また電荷キャリアの飽和の原因であるSbクラスターを同定したことを報告する。これらのクラスターの大きさ、構造、および分布は、100%に近いSb原子の検出効率で確定された。表面や支持膜上の単一の重い原子については、これまでにも可視化されていたが、我々の技術は、個々のドーパントとクラスターを、それらが実際のデバイス中に存在している状態で画像化するものだ。 Full Text PDF 目次へ戻る
