エレクトロニクス：2D材料トランジスターにおけるキャリア伝送長の直接測定

二次元（2D）材料に基づくトランジスターは、1 nmを下回るロジック技術ノードに向けたロードマップ上にある。これは、2D材料の極めて薄い厚さと欠陥のない表面に起因し、卓越した静電ゲート制御能をもたらす。2Dトランジスターの物理的なチャネル長は、将来的に、先進ノードのデバイスにおいて10 nm未満に達する可能性がある。しかし、同等に重要な金属コンタクトのスケーリング限界については、コンタクト部分のキャリア注入領域を直接探査する技術がないために、依然として分かっていない。今回我々は、断面走査型トンネル顕微鏡を用いて、ビスマスのコンタクトを有する単層MoS₂トランジスターのコンタクト領域でキャリア伝送長を直接測定し、約2.0 nmという値を得た。この手法により、コンタクトのスケーリングにおける制約の決定が可能となり、将来の超微細電子デバイスの開発に向けた情報が得られる。

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