Article
エレクトロニクス：独立ファウンドリーによるフレキシブル薄膜エレクトロニクス用マルチプロジェクトウエハー
Nature 629, 8011 doi: 10.1038/s41586-024-07306-2
フレキシブル大面積エレクトロニクスでは、薄膜トランジスター（TFT）に依存して、ディスプレイ、大面積イメージセンサー、マイクロプロセッサー、ウエアラブル健康管理パッチ、デジタルマイクロ流体デバイスなどを製造している。シリコン系の相補型金属–酸化物–半導体（CMOS）チップは、単一ウエハー上でいくつかのダイを用いて製造されており、マルチプロジェクトウエハーという概念によって同一ダイ内にさまざまなCMOSチップ設計を集約することが可能になっているが、今のところTFT製造には、十分検証された普遍的な設計手法が欠けている。これによって、TFTベースのフレキシブルエレクトロニクスの製造のコストと複雑さが増大し、そうしたデバイスをより成熟した応用に組み込むのが遅れ、ファウンドリーが実現できる設計の複雑さが制限されている。今回我々は、フレキシブル基板に適用可能な2つの主要なTFT技術である、ウエハーベースのアモルファス（非晶質）インジウム–ガリウム–亜鉛酸化物とパネルベースの低温多結晶シリコンという2つの主流のTFT技術のファブレス製造のための、安定かつ歩留まりの高いTFTプラットフォームを提示する。我々は、使用事例として両方の技術において象徴的な6502マイクロプロセッサーを設計して、マルチプロジェクトウエハーの手法を実証し拡張した。シリコンCMOS技術に類似した技術としてTFTのファウンドリーモデルを可能にすることによって、こうしたデバイスに基づく応用と技術の成長と発展を加速できる。
