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物性物理学：シリコンを超えるエレクトロニクスのためのグラフェンの調整
Nature 625, 7993 doi: 10.1038/d41586-023-03991-7
システムオンチップへの非シリコン半導体の集積は、先進的な電力技術や検出技術に必要である。今回、炭化ケイ素上に成長させた半導体グラフェンの「バッファー」層が、この経路の一歩となった。
Nature 625, 7993 doi: 10.1038/d41586-023-03991-7
システムオンチップへの非シリコン半導体の集積は、先進的な電力技術や検出技術に必要である。今回、炭化ケイ素上に成長させた半導体グラフェンの「バッファー」層が、この経路の一歩となった。
