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エレクトロニクス：シリコン後の世代の2D絶縁体
Nature 606, 7912 doi: 10.1038/d41586-022-01476-7
今回、結晶配向が一様な六方晶窒化ホウ素の2D絶縁体薄膜を作製する方法が開発された。この進歩によって、将来のエレクトロニクスにおいて六方晶窒化ホウ素が、シリカ基板を置き換える有力な候補になる。
Nature 606, 7912 doi: 10.1038/d41586-022-01476-7
今回、結晶配向が一様な六方晶窒化ホウ素の2D絶縁体薄膜を作製する方法が開発された。この進歩によって、将来のエレクトロニクスにおいて六方晶窒化ホウ素が、シリカ基板を置き換える有力な候補になる。
