超伝導体：銅酸化物超伝導体の擬ギャップ臨界点におけるキャリア密度の変化

擬ギャップは、銅酸化物超伝導体の常伝導（非超伝導）状態において開く電子状態密度の部分ギャップであり、その起源は長年にわたる謎である。擬ギャップと低ドーピング（正孔濃度、p）でのモット絶縁体相の関連は依然として不明瞭であり、中間ドーピングでフェルミ面を再構成する電荷秩序との関係もまだよく分かっていない。本論文では、最高88テスラの磁場中におけるホール係数の測定結果を使って、銅酸化物YBa₂Cu₃O_yにおける電荷秩序によるフェルミ面再構成が、擬ギャップ臨界点p* = 0.19よりも明らかに低い臨界ドーピングp = 0.16で急に終わることを示す。これは、擬ギャップと電荷秩序が別個の現象であることを示している。我々は、キャリア密度nの、高ドーピングでの従来型の金属のn = 1 + pから低ドーピングでのn = pへの変化が、この擬ギャップ臨界点から始まることを見いだした。これは、擬ギャップと反強磁性モット絶縁体が関連していることを示している。

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