Letter 光学：結合したマイクロリングレーザーを使った高速低電力光メモリー 2004年11月11日 Nature 432, 7014 doi: 10.1038/nature03045 ファイバー光学を利用した電気通信速度が増してきたことから、デジタル情報の高速光学処理が注目されている。複雑な光学処理には、決定データおよび通信データをバッファーに格納するため、プレーナー半導体技術と統合できる高密度、高速度、低電力の光メモリーが必要になる。最近、極めてサイズが小さく動作電力の低いリングレーザーが作製されたが、本研究では、このようなマイクロレーザーをいくつか相互接続して構築したメモリー素子を作製し検証する。この素子はInP/InGaAsPフォトニック集積回路上に18×40μm2の面積を占め、5.5 fJの光スイッチングエネルギーで20 ps以内に切り替えができる。シミュレーションにより、この素子はより小さい寸法と短いスイッチング時間が可能であることが示された。このようなメモリー素子は、多数フォトニック集積回路上に高密度集積し相互接続できる。大規模集積した高速のデジタル光学情報処理システムが今や実現可能となるだろう。 Full Text PDF 目次へ戻る
