Letter 工学：金属酸化膜半導体キャパシターに基づく高速のシリコン光変調器 2004年2月12日 Nature 427, 6975 doi: 10.1038/nature02310 シリコンはエレクトロニクスでは長く最適材料の座にあるが、フォトニクス材料の1つと見なされるようになったのは比較的最近にすぎない。シリコンをフォトニクス材料として用いる際の大きな制約の1つは、シリコンの光変調器がIII?V属の半導体化合物や、ニオブ酸リチウムのような電気光学材料で作られたものに比べて低速だったことだ。これまでに実験で示されたシリコンの導波路型光変調器は、最速で変調周波数がほぼ20MHzにすぎない。しかし、理論的にはいくつかのデバイス構造でほぼ1GHzという変調周波数が達成可能と予測されている。今回我々は、金属酸化膜半導体（MOS）キャパシター構造を用いることにより高速の光位相変調が可能であることを示す。実際に、1GHzを超える変調帯域幅をもつ全シリコン光変調器を製作し、動作させた。この技術は従来の相補型MOS（CMOS）プロセスと互換性があり、単一のシリコン基板上に先進のエレクトロニクスとシリコン変調器とをモノリシックに集積することが可能となる。インテル社（米） Full Text PDF 目次へ戻る
