Letter 工学：ナノワイヤーおよびナノリボンを用いた高性能薄膜トランジスター 2003年9月18日 Nature 425, 6955 doi: 10.1038/nature01996 薄膜トランジスター（TFT）は急速に成長するマクロ電子工学分野にとって基本的な構成要素である。プラスチック基板の使用も、軽量で曲げやすく、衝撃にも強く、低コストであることから重要性を増している。現在の多結晶シリコンTFT技術は、作製に高温が必要なことからプラスチック上では実現しがたい。無定形シリコンと有機半導体のTFTはもっと低温で作れるが、キャリア移動度が低いという制約がある。その結果、プラスチック上でわずかな計算、制御、あるいは通信機能を必要とする応用でさえ、既存のTFT技術では実現できない。もし多結晶または単結晶シリコンと同等あるいはそれ以上の性能をもつTFTを形成できる代替半導体材料があり、そのTFTが広い面積のプラスチック基板上で低温で作製できるならば、既存技術が改善されるだけでなく、曲げやすく、着用でき、使い捨て可能な電子工学製品という新たな応用が可能となる。今回、配向したシリコンナノワイヤー薄膜またはCｄSナノリボンを半導体チャンネルに用いたTFTを作製したので報告する。低温工程を用いて、プラスチックを含む多様な基板上に高性能TFTを作製できることを示す。我々の手法は、InAsやInPのような高移動度材料を含む幅広い材料に通用する。 Full Text PDF 目次へ戻る
