Letter 技術：量子部品用の消去可能な静電リソグラフィー 2003年8月14日 Nature 424, 6950 doi: 10.1038/nature01841 量子電子部品、例えば、量子アンチドットや1次元チャネルなどは、通常、ドープしたGaAs/AlGaAsヘテロ構造から電子ビームリソグラフィー、あるいは導電性の原子間力顕微鏡を使った局所酸化によって作製される。いずれの場合も、リソグラフィーと測定は大きく異なる環境で行われるため、作製サイクルと試験サイクルが数週間もかかることがある。ここでは、消去可能な静電リソグラフィー(EEL)と名付けた新しいリソグラフィー法について報告する。EELでは、測定に使うのと同じ低温、高真空の環境中で負にバイアスした走査プローブを使って素子の表面上に電荷パターンを描画する。電荷パターンによって表面下の2次元電子系(2DES)から電子を局所的に空乏化して、作動する量子部品を作製する。電荷パターンは、正にバイアスした走査プローブで局所的に、あるいは赤色光の照射により広域的に消去する。実際に量子アンチドットを描画し、消去することによってEELの有効性を実証した。また、高品質の1次元チャネルを描画し、調整する手法を開発した。量子部品の像は走査型ゲート顕微鏡によって測定した。EELと似た手法は既に報告がある。この手法では、プローブチップによって表面、あるいはドナー層を帯電させて2DESを局所的に乱し、その後、電荷蓄積を画像化する。 Full Text PDF 目次へ戻る
