Letter 材料：単結晶窒化ガリウム・ナノチューブ 2003年4月10日 Nature 422, 6932 doi: 10.1038/nature01551 1991年にカーボンナノチューブが発見されて以来、様々な固体材料におけるナノメートルスケールでのチューブ形状の合成に関する研究に、多大な努力が払われてきた。チューブ状ナノ構造物の形成には、一般的に層状結晶構造または異方性結晶構造が必要である。層状結晶構造を持たないシリカ、アルミナ、シリコン、および金属でできたナノチューブの報告がある。それらのナノチューブは、カーボンナノチューブや多孔質膜をテンプレートとして用いるか、あるいは薄膜を巻くことによって合成されている。しかし、これらのナノチューブは非晶質または多結晶であるか、あるいは超高真空中にしか存在しない。単結晶半導体の中空ナノチューブの成長技術は、潜在的なナノスケール・エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、生化学センシングへの応用に有利となるであろう。今回我々は、内径30〜200 nm、壁面の厚みが5〜50 nmの単結晶GaNナノチューブ合成のための「エピタキシャル・キャスティング」法について報告する。化学気相蒸着の系を用いてGaN薄膜層をエピタキシャル成長させるためのテンプレートとして、六方晶ZnOナノワイヤーを使用した。続いてZnOナノワイヤー・テンプレートを熱還元および蒸発によって除去し、基板上に配列したGaNナノチューブを得た。このテンプレートを使う方法は他の多くの半導体系にも応用可能であろう。 Full Text PDF 目次へ戻る
