Letter 材料：金属内包フラーレンによるカーボンナノチューブのバンドギャップ変調 2002年2月28日 Nature 415, 6875 doi: 10.1038/4151005a シリコン系トランジスタを既存加工技術でさらに微小化することは技術的にも経済的にも困難なことから、例えば単分子を用いる代替電子素子の開発が強力に進められている。最近、カーボンナノチューブを用いてダイオード、トランジスタ、ランダムアクセスメモリーセルなどのナノメートルサイズ素子を作る試みが成功している。そのようなナノチューブ素子は通常、シリコン系トランジスタに比べて非常に長い。今回、半導体ナノチューブにGd@C82内包フラーレンを挿入して長さが約10nmの複数の量子ドットに分ける方法を報告する。ナノチューブのバンドギャップの空間変調は低温走査トンネル顕微鏡で観察された。0.5eVのバンドギャップが、金属内包フラーレンを挿入した場所では0.1eVに狭まっていた。このようなバンドギャップの変化は、局所的弾性ひずみと、金属フラーレン部位での電荷移動によって説明できる。量子ドットの列を作るためのこの技術は、ナノ電子工学とナノオプトエレクトロニクスに利用できるだろう。 Full Text PDF 目次へ戻る
