Letter 物理：ナノスケールのフォトニクスと電子工学のためのナノワイヤ超格子構造の成長 2002年2月7日 Nature 415, 6872 doi: 10.1038/415617a 半導体のナノワイヤとカーボンナノチューブをナノスケールの素子と回路に組み立てることによって、ナノ電子工学やフォトニクスの分野で、さまざまな応用が可能であろう。個々の半導体ナノワイヤは、すでに電界効果トランジスタ、光検出器や生化学センサーに合わせたものが作られている。より洗練された発光ダイオード(LED)と相補系やダイオード系論理素子は、n型とp型の両方の半導体ナノワイヤやナノチューブを利用して実現化されている。n型とp型の材料は、この最後にあげたデバイスに組み込まれているが、その方法は、p型とn型ナノワイヤを交叉させるか、リソグラフィー的にナノチューブの中に別々のp型とn型領域を作りつけるかである。もっとも、両方の技法とも、素子の複雑化を制限している。プレーナー半導体製造の際には、入り組んだnとp型のものか、より全体的に成分が調節された構造、つまり超格子構造が、用途の広い電子と光子の作用を可能にするために使われている。今回、我々は、III-V族とIV族からの半導体ナノワイヤ超格子の合成を実証した。(ワイヤの成長の間に、気相の半導体反応物質を反復的に調節することによって、ナノワイヤ内部に超格子が作られる。) GaAs(ガリウム砒素)とGaP(ガリウム燐)の、2層から21層で構成される成分的に調節された超格子が用意された。そのうえに、n-Si/p-Siとn-InP/p-InPの調節ドープされたナノワイヤも合成された。単一ナノワイヤの光ルミネセンス、電気的輸送、および、電界ルミネセンスの測定値は、これらナノワイヤ超格子の独特な光子と電子の特性を明らかにしており、ナノ・バーコードから偏光のあるナノスケールのLEDまでに及ぶ応用の可能性を示している。 Full Text PDF 目次へ戻る
