Table of Contents: 2018年3月号

カバーストーリー「メムリスタ回路をセキュリティ用に調整する」

アナログ調整できるメムリスタの特性を利用して、物理的にクローン化不可能な機能を作り出すことができる。これは、デバイス製造中に生じる物理的なばらつきから暗号鍵を取り出すという、一種のハードウェア・セキュリティ・プリミティブである。表紙の図は、縦方向に集積化した金属酸化物メムリスティブ・クロスバー回路を利用した「デジタル指紋」が実験により実装されたことを強調したもの。

See Nili et al.

Image: Brian Long, University of California, Santa Barbara. Cover Design: Karen Moore.

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今月号の目次

Editorial \| 09 March 2018 カーボン・ナノチューブ・トランジスタの２０年 Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0053-9



Research Highlight \| 09 March 2018 大規模化する量子ゲート Christiana Varnava Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0051-y



Research Highlight \| 09 March 2018 再構成可能なセキュリティ Michael Lee Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0049-5



Research Highlight \| 09 March 2018 大規模化し高速化する有機半導体結晶 Christiana Varnava Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0052-x



Research Highlight \| 09 March 2018 深層学習が突き止めるウェハ内の欠陥 Michael Lee Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0050-z



News & Views \| 09 March 2018 異常ホール効果の電気的スイッチング Christoph Sürgers Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0047-7



News & Views \| 09 March 2018 応力を感じない伸縮可能なセンサー Nathan Picchietti Salowitz Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0046-8



News & Views \| 09 March 2018 フレキシブルなナノチューブ・デバイスの新段階 Lian-Mao Peng Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0045-9



Review Article \| 09 March 2018 ウェアラブルな発汗センサー Mallika Bariya, Hnin Yin Yin Nyein & Ali Javey Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0043-y 今週号のReview Articleでは、ウェアラブルな発汗センサーの開発について検証し、個別化医療との関係でそうした技術が直面する課題と成功の見込みについて考察する。



Article \| 09 March 2018 非共線的な反磁性体における室温以上でのトポロジカルな異常ホール効果の電気的スイッチング Z. Q. Liu, H. Chen, J. M. Wang, J. H. Liu, K. Wang et al. Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0040-1 非共線的な反磁性体Mn₃Ptの高品質エピタキシャル薄膜で観測される異常ホール効果は、電場を用いてオンオフの切り替えができる。



Article \| 09 March 2018 非線形回路アレイにおける自己誘導されたトポロジカル保護 Yakir Hadad, Jason C. Soric, Alexander B. Khanikaev & Andrea Alù Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0042-z 非線形回路アレイは入力強度の関数として自己誘導されたトポロジカル転移を生じ、欠陥と乱れに対するトポロジカルな保護を示す。



Article \| 09 March 2018 カーボン・ナノチューブ・トランジスタを用いた伸縮可能な温度検知回路における応力の影響の抑制 Chenxin Zhu, Alex Chortos, Yue Wang, Raphael Pfattner, Ting Lei et al. Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0041-0 カーボン・ナノチューブ・トランジスタを用いて設計できる伸縮可能な温度検知回路は、応力依存の誤差を抑制し、0～60％の一軸性応力の範囲内で±1℃の測定の不正確さを達成する。



Article \| 09 March 2018 １段あたりの遅延が10ns以下であるフレキシブルなカーボン・ナノチューブCMOS集積回路 Jianshi Tang, Qing Cao, George Tulevski, Keith A. Jenkins, Luca Nela et al. Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0038-8 高性能カーボン・ナノチューブ薄膜トランジスタと相補回路をフレキシブル基板上に作製することができ、1段あたりの遅延がわずか5.7nsのリング共振器などを作製できる。



Article \| 09 March 2018 集積メムリスタにおけるアナログ状態と非線形コンダクタンスのばらつきが可能にするハードウェア固有のセキュリティ・プリミティブ Hussein Nili, Gina C. Adam, Brian Hoskins, Mirko Prezioso, Jeeson Kim et al. Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0039-7 メムリスタの非線形でアナログ的な調整特性を利用することにより、集積メムリスティブ・クロスバー回路を用いてロバストなセキュリティ・ブリミティブを作製することができる。



Author Correction \| 05 March 2018 Robust memristors based on layered two-dimensional materials Miao Wang, Songhua Cai, Chen Pan, Chenyu Wang, Xiaojuan Lian et al. Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0044-x



Reverse Engineering \| 09 March 2018 リチウムイオン蓄電池はいかにして生まれたか John B. Goodenough Nature Electronics 1, doi:10.1038/s41928-018-0048-6

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