원자 스케일 연결 지점에서의 열 소산

나노크기 연결지점을 가로지르는 전하의 흐름에 대해서는 많은 연구가 진행되어 왔지만, 이와 같이 작은 전류에 의해서 생성되는 열을 측정하는 것은 매우 힘든 일이었다. 열전쌍이 결합된 주문 제작형 스캐닝 터널링 프로브를 기반으로 한 새로운 기술을 이용하여 열 소산을 원자 단위에서 연구하는 것이 가능하게 되었다. 새로운 기술은 비대칭적인 열 소산을 관측하는데 이용되었으며, 생성되는 열의 양은 전압 치우침 극성과 대부분 전하 전달체에 의해 결정된다. 이번 연구 결과는 원자 단위 연결 지점의 전하 운반 특성과 열 소산을 서로 연결했음이 확인되었다. 이번 연구 결과는 원자 단위 연결지점의 열 소산에 대한 전하 운반 특성과 관련되어 있으며, 전하 전달이 가변적이며 접촉 부위 내 에너지 교환이 없는 중간 크기 시스템을 설명하는데 이용될 수 있는데, 이러한 시스템에는 반도체 나노와이어, 2차원 전자 가스, 반도체 헤테로구조, 탄소 나노튜브와 그래핀 등이 있다.