리서치 하이라이트

게르마늄/실리콘 나노와이어

Nature 441, 7092

반도체 나노와이어(semiconductor nanowire)를 기반으로 하는 FET(Field-effect transistor)는 언젠가 소형 전자 회로에 사용되는 표준 실리콘 MOSFET을 대체할 수 있을 것이다. MOSFET(metal-oxide semiconductor field-effect transistor)는 고속 전환(high-speed switching) 및 컴퓨터 통합 회로에 이용되는 유비쿼터스 타입(ubiquitous type)의 트랜지스터이다. 게르마늄 외피와 실리콘 코어로 구성되어 있는 특별한 디자인의 나노와이어는 거의 완벽한 전자 전도 채널을 제공하기 때문에, 나노미터 스케일(nanometer-scale)의 필드 효과 트랜지스터(field-effect transistor)를 제작하는데 이용될 수 있다. 최근, 트랜지스터 형태에서 이러한 게르마늄/실리콘 나노와이어가 현재 사용하고 있는 최신 실리콘 MOSFET보다 뛰어난 높은 전도율 및 짧은 전환 지연 시간을 가진다는 사실이 확인되었다.