리서치 하이라이트

강유전성 상태 측정 및 이를 이용한 FeRAM

Nature 460, 7251

비 휘발성 메모리에 대한 대체 기술로 고려되고 있는 것은 강유전성 층(ferroelectric layer)에 정보를 저장하는FeRAM(Ferroelectric random access memory)이다. FeRAM은 전력 소비 및 내구성 측면에서 다른 비 휘발성 메모리 기술보다 매우 뛰어나지만, 파괴적인 읽기 및 낮은 내구성 때문에 사용이 제한적이었다. Bibe 등은 BaTiO3를 매우 얇은 층을 통해서 작은 크기의 시료에서도 커다란 전기저항성이 나타날 수 있게 하였다. 이를 통해서 층을 통과하는 터널링 전류를 검출하는 것이 가능하게 되었으며, 프로세스 상에서 감소하는 인식을 파괴하지 않고 편광 상태를 측정하는 것이 가능하게 하였다. 이러한 장치를 저장 장치로 이용하게 되는 경우, 비트의 물리적인 크기가 엄청나게 줄어들게 되며, 약 25GB가 1 제곱 인치 정도면 될 것으로 판단된다.