리서치 하이라이트

에피텍셜(epitaxial) 고유전율 게이트 산화물과 통합된 2D 핀 전계 효과 트랜지스터(fin field-effect transistor)

Nature 616, 7955

이 연구에서는 높은 전자 이동성을 갖는 핀 전계 효과 트랜지스터(fin field-effect transistor)의 실현을 위한 초박형(ultra-thin) 2차원 핀-산화물(fin-oxide) 이종 구조의 고밀도 정렬 어레이 제작을 발표하였다.

2023년4월6일 자의 네이처 하이라이트