GaN/NbN 적층 반도체/초전도체 이질성 구조 구축

단일 결정 반도체를 다른 물질 상에서 완벽하게 적층 성장(epitaxial growth)시키는 것은 고성능 전자기기 및 옵토일랙트릭 장치를 위해서는 궁극적으로 필요한 구조이다. Rusen Yan과 공동연구원들은 유사한 수준의 적층 결합이 그룹 III 질소화물 반도체(group III nitride semiconductors)와 초전도 질소화물 금속 NbNx간에 형성될 수 있다는 사실을 밝혔다. 이와 같이 결정질의 초전도체 위에 잘 구조화되고 높은 품질을 가진 반도체 구조를 만들 수 있는 능력은 두 가지 서브 시스템의 특징을 결합시킨 새로운 디바이스를 제작할 수 있는 가능성을 제시할 수 있었다.